Samsung представил новый чип памяти с рекордной емкостью для искусственного интеллекта

Южнокорейская компания Samsung представила новый чип памяти HBM3E с 12-ярусной компоновкой и с рекордной емкостью в 36 гигабайтов, предназначенный для искусственного интеллекта. Об этом говорится в пресс-релизе компании.

По критерию ёмкости и скорости передачи информации 12-слойный чип HBM3E более чем на 50 % превосходит имеющиеся на рынке 8-слойные микросхемы HBM3. Скорость передачи информации по новому HBM3 достигает 1280 гигабайтов в секунду. Массовое производство чипов запланировано на первое полугодие 2024 года.

По оценкам Samsung, 12-слойная память типа HBM3E позволит поднять скорость обучения систем искусственного интеллекта на 34%. А количество одновременно обращающихся к этим системам пользователей может вырасти более чем в 11,5 раз.

«Финам» предлагает своим клиентам попробовать технологии искусственного интеллекта при инвестировании. Отслеживайте прогнозы по 8000+ российских и американских акций — в бесплатном сервисе «Финам AI-скринер». Качественная ИИ-аналитика позволит вам увеличить вам доход от ваших инвестиций.

* Сообщение носит информационный характер, не является индивидуальной инвестиционной рекомендацией или предложением приобрести упомянутые ценные бумаги. Приобретение иностранных ценных бумаг связано с дополнительными рисками.