Samsung и SK Hynix модернизируют свои заводы в Китае для производства более совершенных чипов

Samsung Electronics и SK Hynix модернизируют свои заводы в Китае для производства более совершенных микросхем памяти, сообщает Reuters со ссылкой на источники. Таким образом компании хотят противостоять конкуренции со стороны быстрорастущего китайского конкурента.

По словам источников, обе компании работают над производством микросхем флэш-памяти NAND с более чем 200 слоями на своих заводах в Китае, продукция которых в настоящее время не так совершенна, как микросхемы, производимые в Южной Корее.

Завод Samsung в Сиане на северо-западе Китая, на долю которого приходится около 40% мирового производства NAND-памяти компании, в настоящее время выпускает чипы, имеющие около 200 слоев. Компания переоборудует предприятие для производства 286-слойных микросхем V9 NAND, планируя достичь ежемесячного объема производства в 5000 пластин в декабре этого года, а затем увеличить его до 40 000 пластин к декабрю 2027 года. Samsung заявляет, что модернизация соответствует экспортным правилам США.

SK Hynix планирует перейти на производство NAND-памяти с 240 и более слоями на своих предприятиях в Даляне. В настоящее время там производят продукцию со 192 слоями.

NAND — это тип микросхем памяти, сохраняющих данные без питания, широко используемый в смартфонах, персональных компьютерах и твердотельных накопителях для центров обработки данных в сфере искусственного интеллекта. Большее количество слоев на микросхеме означает большую плотность хранения и меньшие затраты.

Акции Samsung Electronics и SK Hynix на этом фоне в Корее выросли в цене почти на 6%.

Обратите свой взгляд на азиатские площадки. Счет «Сегрегированный Global» в «Финаме» предоставляет квалифицированным инвесторам доступ к бумагам крупнейших компаний КНР и диверсификации портфеля за счёт ведущих компаний Японии.

Сообщение носит информационный характер, не является индивидуальной инвестиционной рекомендацией или предложением приобрести упомянутые ценные бумаги. Приобретение иностранных ценных бумаг связано с дополнительными рисками.